Aşındırma Sistemleri (Islak + Kuru aşındırma)

Islak Aşındırma: Kimyasal aşındırma dilim (wafer) üzerinden bir tabakayı sıvı kimyasal ya da aşındırıcı (asit çözeltisi) kullanarak kaldırma işlemidir. Bu işlem yapılırken dilim üzerinden istenilen kaldırma işlemi için özel maskeler kullanılabilir. Kullanılan maskeler kimyasalın ya da aşındırıcının kaldırma yapılacak tabakadan uzak tutulması için farklı desenlerde tasarlanarak kullanılabilir. Böylece litografide tasarlanan fabrikasyon basamaklarındaki desenler elde edilir. Bir kimyasal aşındırmada kendinden reaktif kimyasallar kullanılabileceği gibi farklı kimyasalların karışımı ile elde edilen reaktif aşındırıcılar da kullanılabilir. Islak aşındırma 3 temel adımda tarif edilebilir:

• Kaldırma yapılacak yapıya kimyasal aşındırıcının difüz etmesi
• Aşındırıcı ile yapı arasında kaldırma işlemi için reaksiyon gerçekleşmesi
• Bu reaksiyon sonucu oluşan oksit tabakasının oksit çözücü kimyasal yardımıyla yüzeyden aşındırılması(kaldırılması).

Kuru Aşındırma: Kuru aşındırmada yüzeyden tabaka kaldırmak için plazma veya asitlenme oluşturan gaz kaynakları kullanılır. Bu sistemlerde gerçekleşen reaksiyonlar; yüksek kinetik enerjili parçacık demetleri veya kimyasal reaksiyonlar ya da her ikisinin kombinasyonu kullanılarak yapılır.

Yüksek enerjili parçacık demeti kullanılarak yapılan aşındırmaya fiziksel kuru aşındırma, aşındırıcı gaz ile yüzey arasında reaksiyon gerçekleştirilerek yapılan aşındırmaya kuru kimyasal aşındırma ya da buhar fazlı aşındırma denir.

Plazma Aşındırma: Plazma aşındırma entegre devre üretiminde kullanılan plazma işleme şekillerinden birisidir. Plazma, yüklü yüksek akış hızlı bir gaz karışımı içerir. Bu tür aşındırma için bilinen plazma kaynakları yüklü (iyon) veya nötr (atom ya da radika) olabilir.