Hakkımızda
Araştırma Merkezi, 2001 yılından bu yana yürütülen projelerle altyapısını geliştirmiş ve yarıiletken teknolojileri alanında bir mükemmeliyet merkezi haline gelmiştir.
Birimimize gerek üniversitemizden, gerekse diğer üniversite ve üniversite dışı sektörlerden birçok öğretim üyesi ve araştırmacılar destek sağlamakta/almaktadır.
Araştırma birimimizde, çeşitli üniversitelerdeki bilim adamları araştırmalarını yapabilmekte ve lisansüstü öğrencileri tez çalışmalarına destek bulmaktadır.
Ulusal ve uluslar arası araştırma kurumları ile proje işbirlikleri ile çeşitli araştırma-geliştirme faaliyetleri sürdürülmektedir.
Ülkemizin ilk MBE (Molecular Beam Epitaxy) sitemi kurulan araştırma merkezinde, yarıiletken malzeme araştırma-geliştirme ve üretimleri gerçekleştirilmektedir.
Araştırmacılarımız tarafından nano-yapılı III-V yarıiletkenlerin; bu kapsamda üstün kalitede GaAs, InAs, InP, GaP gibi ikili, InGaAs gibi üçlü ve InGaAlAs gibi bazı dörtlü alaşımlar; süperörgüler, kuantum kuyu ve kuantum nokta yapıları 1000 sınıflık temiz oda içerisinde MBE sistemi büyütülebilmektedir.
Üretilen AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP ve benzeri nanoyapılı, tabakalı, çoklu kuantum kuyulu yapılardan PV hücreler, lazer diyot gibi cihaz geliştirme ve üretim faaliyetleri gerçekleştirilmektedir.
Merkezimizde bulunan ve çeşitli kaynak malzemelerine sahip Püskürtme (Sputtering) sistemleri ile ZnO, AlO, TiO2, TiNO, … gibi çeşitli geniş bant aralıklı oksit bazlı yarıiletken ince filmler, bu malzemelere dayalı, UV-dedektörler, gaz sensörleri, fonksiyonel yüzeyler, optik filtreler ve dielektrik aynalar geliştirilebilmektedir.
Güneş hücreleri alanında yürütülen araştırmalar ile yenilenebilir enerji kaynaklarının geliştirilmesine katkılar sağlanmaktadır: Birimimizde GaAs bazlı MBE ile büyütülmüş yapılar üzerine güneş hücresi fabrikasyonu yapılabilmektedir. Son zamanlarda kuantım kuyulu, iki ve üç eklemli hücreler geliştirilmektedir. Bu hücreler Güneş ışığının yoğunlaştırılması ile yüksek verimlere ulaşabilmekte ve böylece düşük maliyetli fotovoltaik hücreler (CPV) geliştirilebilmektedir.
Si kristal güneş hücreleri üzerine yapılan çalışmalarda önemli başarılar elde edilmiş ve prototip paneller üretilerek, ülkemizde yerli imkanlarla modül üretimine geçilebilmesi amacıyla sanayicilerimize sunulmuştur. CIGS ve CZTS güneş hücrelerinin geliştirilmesi kapsamında Ar-Ge çalışmaları yürütülmektedir.
GAZİ FOTONİK, çok eklemli III-V grubu güneş hücreleri kapsamında InGaP/GaAs/Ge güneş hücrelerini, yüksek verimde geliştirerek uzay uygulamalarında kullanılabilir düzeye ulaştırma çalışmaları yürütülmektedir. Merkezimize Germanyum tek kristallerinin büyütülmesi planlanmış; Bu amaçla merkez altyapısına Czochralski sistemi kazandırılmıştır. Bu sistemle büyütülen Ge tek kristal külçelerden, çok eklemli güneş hücreleri için alttaş olarak kullanılabilecek dilimler geliştirilmekte ve üretilebilmektedir. Bu dilimler üzerine, Merkezimize kazandırılan MOCVD sistemi ile çok sayıda CPV için InGaP/GaAs/Ge güneş hücrelerinin geliştirilmesi ve üretimi çalışmalarına başlanmıştır.
Hacimli kristal büyütme çalışmaları kapsamında, LED alttaşı, saat camı, cep telefon ekranı, mücevher üretimi gibi bir çok uygulamada önemili optik eleman sınıfında olan safir kristallerinin büyütülmesi gerçekleştirilmektedir.
Fotonik Araştırma Merkezi, ülkemizdeki üniversiteler ve diğer araştırma kurumlarında çalışan araştırmacılarla imkanlarını paylaşmaktadır. Araştırmacılar, merkez imkanlarından kısa ve uzun süreli araştırma yapabilmekte, özellikle genç araştırmacılar yüksek lisans ve doktora tez çalışmalarını merkezde yürütebilmektedir.
