İkincil iyon kütle spektroskopisi (SIMS), numuneleri birkaç keV enerjili odaklanmış birincil iyon ışını ile püskürtülüp, numunelerin yüzeyinden yayılan ikincil iyonları analiz ederek katı yüzeyler hakkında elementel ve moleküler bilgi elde edinilmesini sağlayan yüzey analiz tekniğidir. Bu ikincil iyon demeti, elementel izotopik, ya da moleküler bileşimi belirlemek için bir quadropol kütle spektrometresi ile ölçülmektedir. SIMS ppb mertebelerinde elementel analiz (kimyasal haritalama ve derinlik profili) yapabilen çok hassas bir yüzey analiz tekniğidir.
Hiden marka SIMS sistemi aşağıda tanımlanan özelliklerde sahiptir:
Gaz İyon Tabanca ile,
Sezyum (Cs) İyon Tabanca ile,
Konsantrasyonu belirli olmayan türlerin (örneğin Germanyum gibi, organik ve inorganik) hassas karaterizasyonu özellikle ince film ve yarı iletken malzemeler için her iki sistemde (SIMS ve SNMS) çalışmaya uygun olan Cs iyon tabancalı sistem As ve Si gibi elektronegatif ikincil iyon tespitini 5 KeV luk enerjili primer iyonlarla en üst düzeyde analiz etmeyi olanaklı kılmaktadır. Buna ilaveten Be ve B gibi elektropozitif ikincil iyon tespitini yine 5 KeV luk enerjili primer iyonlarla en hassas şekilde yapılabilmektedir. Cs iyon tabancası görüntüleme ve derinlik profili için en uygun ve gelişmiş ince odaklama sistemidir. Cs tuzu iyon kaynağı kullanılarak yapılan analizlerde duyarlılık açısından önemli hassasiyetler elde edilmektedir.
Görüş, istek ve değerlendirmelerinizi bize iletin.