İkincil İyon Kütle Spektrometresi (SIMS)

SIMS-1

İkincil iyon kütle spektroskopisi (SIMS), numuneleri birkaç keV enerjili odaklanmış birincil iyon ışını ile püskürtülüp, numunelerin yüzeyinden yayılan ikincil iyonları analiz ederek katı yüzeyler hakkında elementel ve moleküler bilgi elde edinilmesini sağlayan yüzey analiz tekniğidir.  Bu ikincil iyon demeti, elementel izotopik, ya da moleküler bileşimi belirlemek için bir quadropol kütle spektrometresi ile ölçülmektedir. SIMS ppb mertebelerinde elementel analiz (kimyasal haritalama ve derinlik profili) yapabilen çok hassas bir yüzey analiz tekniğidir.

Hiden marka SIMS sistemi aşağıda tanımlanan özelliklerde sahiptir:

  • Pozitif, negatif iyon ve nötr arası türlerinin analizi. Spektrometresinin otomatik olarak yeniden ayarlanması
  • Ppm – ppb aralığında yüksek çözünürlük
  • SIMS / SNMS Analiz Tekniği
  • Spektrometre parametrelerinin otomatik taranması
  • 16mm2 ye kadar örnek bir alanı kapsayan 4000 x4000 adımlık tarama
  • Dahili 2D ve 3D yeteneği ile görüntüleme kabiliyeti ve SIMS elementel harita kütüphanesi
  • Ölçekli kalibrasyon dataları ve kalibrasyon
  • Statik SIMS Kütüphanesi
  • Kütle çözünürlüğü 0-200 akb
  • Vakum kalıntı analizi (RGA) opsiyonu

Gaz İyon Tabanca ile,

  • Görüntüleme için spot çapı maksimum 50 mikron
  • Derinlik profili için spot çapı maksimum 120 mikron
  • Yüksek Akım Yoğunluğu
  • Oksijen veya İnert Gazlarla çalışabilme
  • Nötr Döküm

Sezyum (Cs) İyon Tabanca ile,

Konsantrasyonu belirli olmayan türlerin (örneğin Germanyum gibi, organik ve inorganik) hassas karaterizasyonu özellikle ince film ve yarı iletken malzemeler için her iki sistemde (SIMS ve SNMS) çalışmaya uygun olan Cs iyon tabancalı sistem As ve Si gibi elektronegatif ikincil iyon tespitini 5 KeV luk enerjili primer iyonlarla en üst düzeyde analiz etmeyi olanaklı kılmaktadır. Buna ilaveten Be ve B gibi elektropozitif ikincil iyon tespitini yine 5 KeV luk enerjili primer iyonlarla en hassas şekilde yapılabilmektedir. Cs iyon tabancası görüntüleme ve derinlik profili için en uygun ve gelişmiş ince odaklama sistemidir. Cs tuzu iyon kaynağı kullanılarak yapılan analizlerde duyarlılık açısından önemli hassasiyetler elde edilmektedir.

 

background image